SIR180DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
SIR180DP-T1-RE3 P1
SIR180DP-T1-RE3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SIR180DP-T1-RE3

Một phần số
SIR180DP-T1-RE3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SIR180DP-T1-RE3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SIR180DP-T1-RE3
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 2.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 4030pF @ 30V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PowerPAK® SO-8
Gói / Trường hợp PowerPAK® SO-8

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm