SIHA120N60E-GE3

MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
SIHA120N60E-GE3 P1
SIHA120N60E-GE3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SIHA120N60E-GE3

Một phần số
SIHA120N60E-GE3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SIHA120N60E-GE3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SIHA120N60E-GE3
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 600V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1562pF @ 100V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 34W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-220 Full Pack
Gói / Trường hợp TO-220-3 Full Pack

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm