TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
TK14G65W,RQ P1
TK14G65W,RQ P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK14G65W,RQ

Một phần số
TK14G65W,RQ
nhà chế tạo
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- TK14G65W,RQ PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số TK14G65W,RQ
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 650V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 13.7A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 690µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
Vgs (Tối đa) ±30V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 130W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Nhiệt độ hoạt động 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp D2PAK
Gói / Trường hợp TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm