Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
Một phần số | TC58BYG2S0HBAI6 |
---|---|
Trạng thái phần | Active |
Loại bộ nhớ | Non-Volatile |
Định dạng bộ nhớ | EEPROM |
Công nghệ | EEPROM - NAND |
Kích thước bộ nhớ | 4Gb (512M x 8) |
Tần số đồng hồ | - |
Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang | 25ns |
Thời gian truy cập | 25ns |
Giao diện bộ nhớ | Parallel |
Cung cấp điện áp | 1.7 V ~ 1.95 V |
Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 85°C (TA) |
Kiểu lắp | Surface Mount |
Gói / Trường hợp | 67-VFBGA |
Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 67-VFBGA (6.5x8) |