Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | TPS1101PWR |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | P-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 15V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 2.18A (Ta) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Tối đa) | +2V, -15V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 710mW (Ta) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 16-TSSOP |
| Gói / Trường hợp | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPS1100D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | - | 260 | Chi tiết |
 |
TPS1100DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
TPS1100DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | - | 10000 | Chi tiết |
 |
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | - | 4800 | Chi tiết |
 |
TPS1100PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | - | 766 | Chi tiết |
 |
TPS1101D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 2845 | Chi tiết |
 |
TPS1101DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 2775 | Chi tiết |
 |
TPS1101DR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 10000 | Chi tiết |
 |
TPS1101DRG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | - | 10000 | Chi tiết |
 |
TPS1101PWR | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | - | 0 | Chi tiết |
 |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | - | 132 | Chi tiết |
 |
TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | - | 5325 | Chi tiết |