Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BZD27C9V1P RTG |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Điện áp - Zener (Nôm) (Vz) | 9.05V |
| Lòng khoan dung | ±6.07% |
| Sức mạnh tối đa | 1W |
| Trở kháng (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 10µA @ 5V |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | DO-219AB |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Sub SMA |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27B100P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B100P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B100P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B100P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B100P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B100P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B10P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B10P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B10P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 627239 | Chi tiết |
 |
BZD27B10P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B10P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
BZD27B10P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Chi tiết |