NTD4960NT4G

MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
NTD4960NT4G P1
NTD4960NT4G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

ON Semiconductor ~ NTD4960NT4G

Một phần số
NTD4960NT4G
nhà chế tạo
ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- NTD4960NT4G PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số NTD4960NT4G
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 30A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp DPAK
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm