Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | JANTX2N3029 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Trạng thái Tắt-Tắt | 1000V |
| Bộ kích hoạt điện áp (Vgt) (Tối đa) | 800mV |
| Bộ kích hoạt cửa hiện tại (Igt) (Max) | 200µA |
| Điện áp - Ngày Trạng thái (Vtm) (Tối đa) | 1.5V |
| Hiện tại - Trên Nhà nước (Nó (AV)) (Max) | - |
| Hiện tại - Trên Nhà nước (It (RMS)) (Max) | 250mA |
| Hiện tại - giữ (Ih) (tối đa) | 5mA |
| Trạng thái Hiện tại (Tối đa) | 100nA |
| Hiện tại - không tăng đột biến 50, 60Hz (itsm) | 5A, 8A |
| Loại SCR | Sensitive Gate |
| Nhiệt độ hoạt động | -65°C ~ 150°C |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-18 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Chi tiết |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Chi tiết |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Chi tiết |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Chi tiết |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Chi tiết |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |