Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | JAN2N3506 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vua bão hòa (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) | - |
| DC hiện tại tăng (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 1.5A, 2V |
| Sức mạnh tối đa | 1W |
| Tần suất - Chuyển tiếp | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-39 (TO-205AD) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Chi tiết |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Chi tiết |