Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT50GP60BG |
|---|---|
| Trạng thái phần | Not For New Designs |
| Loại IGBT | PT |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 190A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Sức mạnh tối đa | 625W |
| Chuyển đổi năng lượng | 465µJ (on), 637µJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 165nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 19ns/83ns |
| Điều kiện kiểm tra | 400V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-247 [B] |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 32 | Chi tiết |
 |
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | - | 63 | Chi tiết |
 |
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | - | 23 | Chi tiết |
 |
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 49 | Chi tiết |
 |
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 2 | Chi tiết |
 |
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 83 | Chi tiết |
 |
APT5010LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 69 | Chi tiết |
 |
APT5012JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | 0 | Chi tiết | |
|
APT5014B2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V T-MAX | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT5014BLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | - | 7 | Chi tiết |
 |
APT5014SLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | - | 0 | Chi tiết |