APT50GF120JRDQ3

IGBT 1200V 120A 521W SOT227
APT50GF120JRDQ3 P1
APT50GF120JRDQ3 P2
APT50GF120JRDQ3 P1
APT50GF120JRDQ3 P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Microsemi Corporation ~ APT50GF120JRDQ3

Một phần số
APT50GF120JRDQ3
nhà chế tạo
Microsemi Corporation
Sự miêu tả
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- APT50GF120JRDQ3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - IGBTs - Các mô-đun
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số APT50GF120JRDQ3
Trạng thái phần Active
Loại IGBT NPT
Cấu hình Single
Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Sức mạnh tối đa 521W
VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) 750µA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce 5.32nF @ 25V
Đầu vào Standard
Thermistor NTC No
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Chassis Mount
Gói / Trường hợp ISOTOP
Gói Thiết bị Nhà cung cấp ISOTOP®

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm