Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT40GP60B2DQ2G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Not For New Designs |
| Loại IGBT | PT |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Sức mạnh tối đa | 543W |
| Chuyển đổi năng lượng | 385µJ (on), 350µJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 135nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 20ns/64ns |
| Điều kiện kiểm tra | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 Variant |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | - |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
|
APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
|
APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | Chi tiết |
|
APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | Chi tiết |
 |
APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | Chi tiết | |
 |
APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | Chi tiết |
 |
APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | Chi tiết | |
 |
APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | Chi tiết |
 |
APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | Chi tiết |
 |
APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | Chi tiết |