SPD35N10

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
SPD35N10 P1
SPD35N10 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ SPD35N10

Một phần số
SPD35N10
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
SPD35N10.pdf SPD35N10 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SPD35N10
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 100V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 150W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 26.4A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO252-3
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm