Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SPD04N50C3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Not For New Designs |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 560V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 50W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TO252-3 |
| Gói / Trường hợp | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD01N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SPD02N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | 0 | Chi tiết | |
 |
SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | 0 | Chi tiết | |
 |
SPD02N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
SPD02N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 0 | Chi tiết | |
 |
SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SPD03N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | 0 | Chi tiết | |
 |
SPD03N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK | 0 | Chi tiết | |
 |
SPD03N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | - | 17317 | Chi tiết |
 |
SPD03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK | 5000 | Chi tiết | |
 |
SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK | 0 | Chi tiết |