SI3443DVTR

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
SI3443DVTR P1
SI3443DVTR P2
SI3443DVTR P1
SI3443DVTR P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ SI3443DVTR

Một phần số
SI3443DVTR
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
SI3443DVTR.pdf SI3443DVTR PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SI3443DVTR
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 4.4A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1079pF @ 10V
Vgs (Tối đa) ±12V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp Micro6™(TSOP-6)
Gói / Trường hợp SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm