IRFSL4020PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO262
IRFSL4020PBF P1
IRFSL4020PBF P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IRFSL4020PBF

Một phần số
IRFSL4020PBF
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IRFSL4020PBF.pdf IRFSL4020PBF PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IRFSL4020PBF
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 200V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 50V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 100W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 11A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-262
Gói / Trường hợp TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm