IRF60R217

MOSFET N-CH 60V 58A
IRF60R217 P1
IRF60R217 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IRF60R217

Một phần số
IRF60R217
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 60V 58A
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IRF60R217.pdf IRF60R217 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IRF60R217
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 83W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 35A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp D-Pak
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm