Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IPT015N10N5ATMA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 100V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 50V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 375W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 150A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-HSOF-8-1 |
| Gói / Trường hợp | 8-PowerSFN |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT015N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF | 0 | Chi tiết |