IPS090N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
IPS090N03LGAKMA1 P1
IPS090N03LGAKMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPS090N03LGAKMA1

Một phần số
IPS090N03LGAKMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IPS090N03LGAKMA1.pdf IPS090N03LGAKMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPS090N03LGAKMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 42W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO251-3
Gói / Trường hợp TO-251-3 Stub Leads, IPak

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm