Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IPN95R1K2P7ATMA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 950V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 400V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 7W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-SOT223 |
| Gói / Trường hợp | TO-261-3 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 | - | 103929 | Chi tiết |
 |
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 | - | 131591 | Chi tiết |
 |
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 | - | 157206 | Chi tiết |