IPI040N06N3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IPI040N06N3GHKSA1 P1
IPI040N06N3GHKSA1 P2
IPI040N06N3GHKSA1 P3
IPI040N06N3GHKSA1 P1
IPI040N06N3GHKSA1 P2
IPI040N06N3GHKSA1 P3
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPI040N06N3GHKSA1

Một phần số
IPI040N06N3GHKSA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPI040N06N3GHKSA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPI040N06N3GHKSA1
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 30V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 188W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 90A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO262-3
Gói / Trường hợp TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm