IPG20N06S2L35ATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
IPG20N06S2L35ATMA1 P1
IPG20N06S2L35ATMA1 P2
IPG20N06S2L35ATMA1 P1
IPG20N06S2L35ATMA1 P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPG20N06S2L35ATMA1

Một phần số
IPG20N06S2L35ATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPG20N06S2L35ATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPG20N06S2L35ATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET Logic Level Gate
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 55V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 20A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 27µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V
Sức mạnh tối đa 65W
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 8-PowerVDFN
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TDSON-8-4

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm