Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
Một phần số | IPD80R1K0CEATMA1 |
---|---|
Trạng thái phần | Active |
Loại FET | N-Channel |
Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 800V |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
Vgs (Tối đa) | ±20V |
Tính năng FET | - |
Công suất Tối đa (Tối đa) | 83W (Tc) |
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Kiểu lắp | Surface Mount |
Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TO252-3 |
Gói / Trường hợp | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |