IPB180N04S401ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
IPB180N04S401ATMA1 P1
IPB180N04S401ATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPB180N04S401ATMA1

Một phần số
IPB180N04S401ATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPB180N04S401ATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPB180N04S401ATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 40V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 188W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO263-7-3
Gói / Trường hợp TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm