IPB067N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
IPB067N08N3 G P1
IPB067N08N3 G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPB067N08N3 G

Một phần số
IPB067N08N3 G
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IPB067N08N3 G.pdf IPB067N08N3 G PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPB067N08N3 G
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 80V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 3840pF @ 40V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 136W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 73A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO263-2
Gói / Trường hợp TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm