FD1000R17IE4BOSA2

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
FD1000R17IE4BOSA2 P1
FD1000R17IE4BOSA2 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ FD1000R17IE4BOSA2

Một phần số
FD1000R17IE4BOSA2
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FD1000R17IE4BOSA2 PDF online browsing
gia đình
Transitor - IGBTs - Các mô-đun
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FD1000R17IE4BOSA2
Trạng thái phần Active
Loại IGBT -
Cấu hình Single
Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Current - Collector (Ic) (Max) -
Sức mạnh tối đa 6250W
VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) 5mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce 81nF @ 25V
Đầu vào Standard
Thermistor NTC Yes
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C
Kiểu lắp Chassis Mount
Gói / Trường hợp Module
Gói Thiết bị Nhà cung cấp Module

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm