Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Not For New Designs |
| Loại IGBT | - |
| Cấu hình | Full Bridge |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Sức mạnh tối đa | 80W |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
| Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) | 400µA |
| Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
| Đầu vào | Standard |
| Thermistor NTC | No |
| Nhiệt độ hoạt động | 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Chassis Mount |
| Gói / Trường hợp | Module |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Module |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSM10GD120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 | - | 1157 | Chi tiết |
|
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 | - | 1157 | Chi tiết |