BSC0921NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
BSC0921NDIATMA1 P1
BSC0921NDIATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ BSC0921NDIATMA1

Một phần số
BSC0921NDIATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
BSC0921NDIATMA1.pdf BSC0921NDIATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số BSC0921NDIATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tính năng FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 17A, 31A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 8.9nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1025pF @ 15V
Sức mạnh tối đa 1W
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 8-PowerTDFN
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TISON-8

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm