Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Transistor | NPN |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
| Tần suất - Chuyển tiếp | 75GHz |
| Hình ồn (dB Typ @ f) | 0.5dB @ 450MHz |
| Thu được | 27dB |
| Sức mạnh tối đa | 75mW |
| DC hiện tại tăng (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 150 @ 10mA, 1.8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Nhiệt độ hoạt động | 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | SC-101, SOT-883 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TSLP-3-9 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3 | 0 | Chi tiết |