Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GB01SLT06-214 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Silicon Carbide Schottky |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1A (DC) |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 2V @ 1A |
| Tốc độ | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 0ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 10µA @ 6.5V |
| Điện dung @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | DO-214AA, SMB |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DO-214AA |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | 0 | Chi tiết | |
 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | 0 | Chi tiết | |
 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | 1853 | Chi tiết | |
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | 0 | Chi tiết |