DB107G

DIODE BRIDGE 1000V 1A DB
DB107G P1
DB107G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

GeneSiC Semiconductor ~ DB107G

Một phần số
DB107G
nhà chế tạo
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả
DIODE BRIDGE 1000V 1A DB
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
DB107G.pdf DB107G PDF online browsing
gia đình
Diode - Bộ chỉnh lưu cầu
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số DB107G
Trạng thái phần Active
Loại Diode Single Phase
Công nghệ Standard
Điện áp - Peak Reverse (Tối đa) 1000V
Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If 1.1V @ 1A
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr 10µA @ 1000V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói / Trường hợp 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Gói Thiết bị Nhà cung cấp DB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm