NDC632P

MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
NDC632P P1
NDC632P P2
NDC632P P3
NDC632P P1
NDC632P P2
NDC632P P3
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ NDC632P

Một phần số
NDC632P
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
NDC632P.pdf NDC632P PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số NDC632P
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V
Vgs (Tối đa) -8V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.6W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SuperSOT™-6
Gói / Trường hợp SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm