Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | FDI025N06 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 60V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 265A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 226nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 14885pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 395W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-262-3 |
| Gói / Trường hợp | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDI025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 | 0 | Chi tiết | |
 |
FDI030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | - | 835 | Chi tiết |
 |
FDI038AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB | - | 780 | Chi tiết |
|
FDI040N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | - | 0 | Chi tiết |
|
FDI045N10A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | - | 0 | Chi tiết |
 |
FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | - | 14255 | Chi tiết |
 |
FDI045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | - | 1908 | Chi tiết |
|
FDI047AN08A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB | - | 0 | Chi tiết |
 |
FDI10-250Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | - | 0 | Chi tiết |
|
FDI14-187Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | - | 0 | Chi tiết |
 |
FDI14-250C | 3M | CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 | 0 | Chi tiết | |
 |
FDI14-250Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | - | 39 | Chi tiết |