EGP10J

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
EGP10J P1
EGP10J P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ EGP10J

Một phần số
EGP10J
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- EGP10J PDF online browsing
gia đình
Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số EGP10J
Trạng thái phần Last Time Buy
Loại Diode Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If 1.7V @ 1A
Tốc độ Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) 75ns
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr 5µA @ 600V
Điện dung @ Vr, F -
Kiểu lắp Through Hole
Gói / Trường hợp DO-204AL, DO-41, Axial
Gói Thiết bị Nhà cung cấp DO-41
Nhiệt độ hoạt động - Junction -65°C ~ 150°C

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm