Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/Micross Components ~ 1N5534B

Một phần số	1N5534B
Trạng thái phần	Active
Điện áp - Zener (Nôm) (Vz)	14V
Lòng khoan dung	±5%
Sức mạnh tối đa	500mW
Trở kháng (Max) (Zzt)	100 Ohm
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr	10µA @ 12.6V
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If	1.1V @ 200mA
Nhiệt độ hoạt động	-65°C ~ 175°C
Kiểu lắp	-
Gói / Trường hợp	-
Gói Thiết bị Nhà cung cấp	-

Một phần số	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	PDF	Trong kho	Lượt xem
1N5059GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	8000	Chi tiết
1N5059GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	0	Chi tiết
1N5059TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Chi tiết
1N5059TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Chi tiết
1N5060 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A	-	0	Chi tiết
1N5060GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	8000	Chi tiết
1N5060GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Chi tiết
1N5060GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Chi tiết
1N5060GPHE3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Chi tiết
1N5060TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	0	Chi tiết
1N5060TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	20000	Chi tiết
1N5061 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A	-	0	Chi tiết