Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BAV19WS-7-F |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 200mA |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Tốc độ | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 50ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 100nA @ 100V |
| Điện dung @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | SC-76, SOD-323 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SOD-323 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | Chi tiết |
 |
BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | Chi tiết |
|
BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | Chi tiết |
 |
BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Chi tiết | |
 |
BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | Chi tiết | |
 |
BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | Chi tiết |