Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C32M16MD1A-5BCN

Một phần số	AS4C32M16MD1A-5BCN
Trạng thái phần	Active
Loại bộ nhớ	Volatile
Định dạng bộ nhớ	DRAM
Công nghệ	SDRAM - Mobile DDR
Kích thước bộ nhớ	512Mb (32M x 16)
Tần số đồng hồ	200MHz
Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang	15ns
Thời gian truy cập	700ps
Giao diện bộ nhớ	Parallel
Cung cấp điện áp	1.7 V ~ 1.9 V
Nhiệt độ hoạt động	-30°C ~ 85°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói / Trường hợp	60-VFBGA
Gói Thiết bị Nhà cung cấp	60-FBGA (9x8)

Một phần số	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	PDF	Trong kho	Lượt xem
AS4C32M16D1-5BCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	16	Chi tiết
AS4C32M16D1-5BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	0	Chi tiết
AS4C32M16D1-5BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	169	Chi tiết
AS4C32M16D1-5BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA	-	0	Chi tiết
AS4C32M16D1-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Chi tiết
AS4C32M16D1-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Chi tiết
AS4C32M16D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	16	Chi tiết
AS4C32M16D1-5TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Chi tiết
AS4C32M16D1A-5TAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	-	18071	Chi tiết
AS4C32M16D1A-5TANTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	-	19403	Chi tiết
AS4C32M16D1A-5TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	236	Chi tiết
AS4C32M16D1A-5TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP	-	0	Chi tiết