VS-GT200TP065N

IGBT
VS-GT200TP065N P1
VS-GT200TP065N P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT200TP065N

Parça numarası
VS-GT200TP065N
Üretici firma
Vishay Semiconductor Diodes Division
Açıklama
IGBT
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- VS-GT200TP065N PDF online browsing
Aile
Transistörler - IGBT'ler - Modüller
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası VS-GT200TP065N
Parça Durumu Active
IGBT Tipi Trench
Yapılandırma Half Bridge
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 650V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 221A
Maksimum güç 600W
Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic 2.12V @ 15V, 200A
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 60µA
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce -
Giriş Standard
NTC Termistor No
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum INT-A-Pak
Tedarikçi Aygıt Paketi INT-A-PAK

ilgili ürünler

Tüm ürünler