VS-GB50YF120N

IGBT 1200V 66A 330W ECONO
VS-GB50YF120N P1
VS-GB50YF120N P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GB50YF120N

Parça numarası
VS-GB50YF120N
Üretici firma
Vishay Semiconductor Diodes Division
Açıklama
IGBT 1200V 66A 330W ECONO
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- VS-GB50YF120N PDF online browsing
Aile
Transistörler - IGBT'ler - Modüller
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası VS-GB50YF120N
Parça Durumu Active
IGBT Tipi -
Yapılandırma -
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 1200V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 66A
Maksimum güç 330W
Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 75A
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 250µA
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce -
Giriş Standard
NTC Termistor No
Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum Module
Tedarikçi Aygıt Paketi ECONO2 4PACK

ilgili ürünler

Tüm ürünler