SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
SQJ500AEP-T1_GE3 P1
SQJ500AEP-T1_GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SQJ500AEP-T1_GE3

Parça numarası
SQJ500AEP-T1_GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SQJ500AEP-T1_GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SQJ500AEP-T1_GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N and P-Channel
FET Özelliği -
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 40V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 30A (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.1nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 20V
Maksimum güç 48W
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum PowerPAK® SO-8 Dual
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® SO-8 Dual

ilgili ürünler

Tüm ürünler