SQJ431EP-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 200V SO8L
SQJ431EP-T1_GE3 P1
SQJ431EP-T1_GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SQJ431EP-T1_GE3

Parça numarası
SQJ431EP-T1_GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET P-CHAN 200V SO8L
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SQJ431EP-T1_GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SQJ431EP-T1_GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi P-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 200V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 12A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 4355pF @ 25V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 83W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 213 mOhm @ 1A, 4V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® SO-8
Paket / Durum PowerPAK® SO-8

ilgili ürünler

Tüm ürünler