Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SISS02DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 25V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 51A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | +16V, -12V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 4450pF @ 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® 1212-8S |
| Paket / Durum | PowerPAK® 1212-8S |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SISS02DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212- | - | 91519 | ayrıntılar |
|
SISS04DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- | - | 90142 | ayrıntılar |
|
SISS06DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212 | - | 121692 | ayrıntılar |
|
SISS08DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212 | - | 121692 | ayrıntılar |