Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SISH114ADN-T1-GE3 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 18A (Ta), 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Maks.) | ±20V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / Durum | PowerPAK® 1212-8SH |