Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIS436DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 25V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 16A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Durum | PowerPAK® 1212-8 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS430DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIS435DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIS436DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIS438DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | - | 9000 | ayrıntılar |
 |
SIS439DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 | - | 0 | ayrıntılar |