Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SIHP4N80E-GE3 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 800V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 4.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.27 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Maks.) | ±30V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 622pF @ 100V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 69W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Through Hole |
Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-220AB |
Paket / Durum | TO-220-3 |