Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SIHD6N65ET1-GE3 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 650V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 7A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Maks.) | ±30V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 78W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-252AA |
Paket / Durum | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |