Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIHB35N60EF-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 32A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 97 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 250W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | D²PAK (TO-263) |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V D2PAK | - | 18421 | ayrıntılar |
 |
SIHB30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHB30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | - | 691 | ayrıntılar |
 |
SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 | - | 2618 | ayrıntılar |
|
SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | - | 16952 | ayrıntılar |
|
SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | - | 18143 | ayrıntılar |
 |
SIHB35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 | - | 1000 | ayrıntılar |
|
SIHB35N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D2PAK TO-263 | - | 8924 | ayrıntılar |