Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SIE812DF-T1-GE3 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 40V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 60A (Tc) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 8300pF @ 20V |
Vgs (Maks.) | ±20V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | 10-PolarPAK® (L) |
Paket / Durum | 10-PolarPAK® (L) |