Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIE808DF-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 60A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 10-PolarPAK® (L) |
| Paket / Durum | 10-PolarPAK® (L) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIE800DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE800DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE802DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE802DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE804DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE806DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE806DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SIE808DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | - | 6000 | ayrıntılar |
 |
SIE808DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | - | 0 | ayrıntılar |