Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SIDR668DP-T1-GE3 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 100V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
Vgs (Maks.) | ±20V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 50V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SO-8DC |
Paket / Durum | PowerPAK® SO-8 |